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        研究:石墨烯可實現(xiàn)大功率半導體設(shè)備大幅降溫

        研究:石墨烯可實現(xiàn)大功率半導體設(shè)備大幅降溫

        2012-05-10 15:45:06

          報道,美國加州大學河濱分校伯恩斯工程學院的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù),可借助石墨烯實現(xiàn)大功率半導體設(shè)備的大幅降溫,解決在交通信號燈和電動汽車中使用的半導體材料散熱問題。相關(guān)研究報告5月8日發(fā)表在《自然·通訊》雜志上。

          自上世紀90年代以來,半導體材料氮化鎵(GaN)就被用于強光的制造,并因為高效和可耐高電壓工作而被用于無線設(shè)備中。然而就像所有大功率操作設(shè)備一樣,氮化鎵晶體管會散發(fā)出相當多的熱量,需要對其快速而有效的移除??茖W家已嘗試過倒焊芯片和復合基底等多種熱量管理途徑,但效果都不理想。如何為這些設(shè)備降溫仍困擾著學界,氮化鎵電子工業(yè)的市場份額和應(yīng)用范圍也因為難以散熱而受到限制。

          基于納米設(shè)備實驗室開發(fā)的新技術(shù),將使這一情況得到改善。研究小組由電子工程學教授亞歷山大·巴蘭金領(lǐng)導,他們在進行微拉曼光譜溫度測量時發(fā)現(xiàn),通過引入由多層石墨烯制成的交替散熱通道,能使在高功率運轉(zhuǎn)情況下的氮化鎵晶體管中的熱點降低20℃,并將相關(guān)設(shè)備的壽命延長10倍。

          巴蘭金表示,這代表了熱量管理領(lǐng)域的變革性進展。與金屬或半導體薄膜不同,多層石墨烯即使在自身厚度僅為數(shù)納米時,也能保持良好的熱力性質(zhì),這使它們成為了制造側(cè)面導熱片和連接線的極佳備選。研究人員在氮化鎵晶體管上設(shè)計并構(gòu)建了石墨烯“被子”,使其能從熱點處移除和傳導熱量。計算機模擬則顯示,采用熱阻更強的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化鎵設(shè)備上發(fā)揮作用。(新華網(wǎng))

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